Gründer:in/CEO
Lisa Leinemann
Gründungsjahr
2016
Über uns
FMC – The Ferroelectric Memory Company löst eine der wichtigsten Hardware-Herausforderungen im Zeitalter des Internets der Dinge. Sowohl Fabless-Unternehmen als auch Halbleiterhersteller suchen heute nach eingebetteten nichtflüchtigen Speicherlösungen (eNVM), die es Produkten wie Mikrocontrollern (MCU) ermöglichen, dem Moore'schen Gesetz zu folgen. Herkömmliche eNVM-Lösungen wie eFlash können jedoch keine kostengünstigen Lösungen bieten, die im Zeitalter des IoT so dringend benötigt werden. FMC vermarktet eine disruptive Materialinnovation, die dieses Problem für aktuelle und zukünftige Technologieknoten lösen wird, dh eNVM auf Basis von ferroelektrischem Hafniumoxid (FE-HfO2). Der unerwartete physikalische Effekt der Ferroelektrizität in HfO2 ermöglicht die Umwandlung klassischer High-k-Metal-Gate-Transistoren (HKMG) in nichtflüchtige ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFET). Auf diese Weise können MCUs problemlos von z. B. 65 nm auf 28 nm und darüber hinaus skaliert werden, was enorme Vorteile für das Gesamtsystem ermöglicht: Reduzierung der SoC-Kosten um etwa 80 %, Reduzierung der Schreibenergie pro Bit um den Faktor 1000 und eine Steigerung der Gesamtleistung des Systems von rund 70 % durch die Umstellung auf fortgeschrittene Prozessknoten. Aufgrund der engen Beziehung zwischen FeFET- und CMOS-Basislinie gibt es kein Hindernis für die Anwendung der FMC-Technologie auf hochmoderne Technologieknoten wie 22-nm-FDSOI, 1X-nm-FinFET und darüber hinaus.
