Gründer:in/CEO
Gerhard Bolenz
Gründungsjahr
2016
Über uns
Eine Ergänzung der bisher am Markt angebotenen neuen Leistungshalbleiter Silizium Karbid (SiC) und Gallium Nitrid (GaN) durch ein seit Jahrhunderten im Niedrigvoltbereich eingesetztes Halbleitermaterial GaAs, das vergleichbare oder in bestimmten Applikationen sogar bessere Eigenschaften als die Materialien beider SiC und GaN besitzt. Unsere GaAs-Leistungshalbleiter können erheblich kostengünstiger hergestellt werden und reduzieren ebenfalls gravierend die elektrischen Verluste, den Formfaktor und die Kosten entsprechender Energie-Transformations-Systeme.
